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熊田 高之; 三浦 大輔*; 阿久津 和宏*; 大石 一城*; 森川 利明*; 河村 幸彦*; 鈴木 淳市*; 奥 隆之; 鳥飼 直也*; 新関 智丈*
Journal of Applied Crystallography, 55(5), p.1147 - 1153, 2022/10
被引用回数：1 パーセンタイル：29.53(Chemistry, Multidisciplinary)スピンコントラスト変調中性子反射率法は一つの試料一つのビームラインから複数の反射率曲線が得られる手法である。我々はその特徴を生かしてメチル化ポリシラザンから作られた多孔質シリカ界面においてアクリルウレタン樹脂は多孔質体内に入り込まないことを見出した。
水木 純一郎; 木村 英和*
応用物理, 68(11), p.1271 - 1274, 1999/11
放射光X線の特長の一つである波長選択性を利用した構造研究方法と、それらを利用した研究例を紹介する。X線異常分散を利用することにより特定原子種に注目した構造解析が可能とになる。その例としてDAFS法について、その原理、解析方法及び実験例を紹介し、DAFS法の魅力、放射光X線の威力について述べる。
水木 純一郎
化学工業, 49(7), p.33 - 41, 1998/07
放射光X線を利用して研究された材料科学の一部を紹介し、放射光が材料開発にいかに重要であるかを述べる。特に、放射光の特長を生かして研究された半導体界面構造、セラミックス薄膜構造、そして新物質であるC
化合物の構造研究について、構造と物性の関係解明の観点から議論する。また、今後大型放射光源の出現で発展が期待される分野についても議論する。
水木 純一郎
日本結晶学会誌, 39(1), p.31 - 36, 1997/00
日本結晶学会誌の特集号に掲載されるもので、新しい局所構造解析手法であるDAFSについて、その原理と応用例、今後の発展を述べた。DAFSは、回折法とXAFS法を組み合わせた局所構造解析手法でありそれぞれの方法では得られないsite-selectivityとspatial selectivityを有する。これらを界面構造研究例Si/B-√3
√3/Ge
Si
(111)と、高温超伝導体YBa
Cu
O
で示し、有効性を議論する。また、この方法は今後SPring-8のような第3世代の放射光光源を使うことにより、欠陥、表面、相転移などに応用できることを述べている。
小林 拓真*; 中沼 貴澄*; 鈴木 亜沙人*; 染谷 満*; 岡本 光央*; 吉越 章隆; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*
no journal, ,
リーク電流およびフラットバンド電圧安定性の観点から、窒化SiC MOSデバイスの信頼性を調査した。非基底面上の窒化MOSデバイスは、優れたオン性能を示すことが知られているが、窒化は顕著なリーク電流を引き起こすだけでなく、電子および正孔注入に対するフラットバンド電圧安定性を妨げることが明らかになった。講演当日は、放射光X線光電子分光法によるSiO/SiC構造の分析結果に基づいて、信頼性劣化の原因を議論する。
